post

Intel Corporation и Micron Technology обявиха първата в света 25-нанометрова (nm) NAND флаш технология. Непосредственият ефект от нейното прилагане ще се изрази в увеличаване на капацитета за съхраняване на данни в широкоразпространени потребителски устройства като смартфони, портативни музикални и медия плейъри (PMP), както и за новите високопроизводителни твърдотелни дискове (SSD). Освен че осигурява по-голям обем на записваната информация, новата технология представлява и по-ефективно решение по отношение на цената и води до намаляване на производствените разходи.

NAND флаш паметите съхраняват данни и друго медийно съдържание в продукти от потребителската електроника, като запазват информацията дори когато устройството е изключено. Стремежът към миниатюризация в NAND процесите дава възможност за постоянното развитие и въвеждане на нови начини за употреба на технологията. 25-нанометровият процес не само че представлява най-фината NAND технология, но и най-миниатюрната технология за производство на полупроводници в целия свят – технологичен пробив, който продължава напредъка за повече музика, видео съдържание и други данни при днешните приложения за потребителска електроника и компютри.

Разработен от IM Flash Technologies (IMFT), съвместно дружество на Intel и Micron за производство на NAND flash, 25-нанометровият процес осигурява 8 гигабайта (GB) памет в един NAND чип, като предлага решение за огромен капацитет за съхранение на данни при потребителските устройства. Чипът е с размер от едва 167 кв. мм – достатъчно малък, за да влезе в дупката в средата на компакт диск (CD) и при все това събира над 10 пъти повече от информационния капацитет на това CD (едно стандартно CD съхранява около 700 мегабайта данни).

Със своите целенасочени усилия и инвестиции в NAND изследвания и разработка, Intel и Micron удвояват плътността на NAND приблизително на всеки 18 месеца, което води до по-малък размер, по-висока ценова ефективност и по-голям капацитет на продуктите. IMFT започна производство с 50-нанометров процес през 2006 г., а след това продължи с 34-нанометров процес през 2008 г. С днешния 25-нанометров процес компаниите разширяват още повече своето технологично и производствено лидерство с въвеждането на най-малката полупроводникова литография в индустрията.

“Да си лидер на цялата полупроводникова индустрия с най-съвременния технологичен процес, е изключително постижение за Intel и Micron, и с нетърпение очакваме да променим в бъдеще границите на технологичните възможности,” заяви Браян Шърли, вицепрезидент на Micron memory group. “Тази производствена технология ще предостави значителни ползи на нашите клиенти чрез решения за по-компактно медийно съдържание.”

“Чрез постоянните ни инвестиции в IMFT ние предоставяме водещи технологии и производство, които дават възможност за най-ценово ефективна и благонадеждна NAND памет,” каза Том Рампоне, вицепрезидент и управляващ директор, Intel NAND Solutions Group. “Това ще ускори въвеждането на решения за твърдотелни дискове при компютърните технологии.”

В момента се предоставят тестови мостри от 25-нанометровите чипове с капацитет 8 GB и се очаква стартът на масовото производство да бъде през второто тримесечие на 2010 г. Устройството предлага на производителите на потребителска електроника най-голямата компактност в един-единствен 2 bits-per-cell multi-level cell (MLC) die, който ще отговори на индустриалния стандарт за малък и тънък пакет (TSOP). Множество 8 GB чипове могат да се подредят в един пакет, за да се увеличи капацитетът за съхраняване на данни. Новото 25-нанометрово 8 GB решение намалява броя на чиповете с 50% в сравнение с процесите от предишни поколения, което позволява по-малки и по-компактни дизайнерски решения и по-висока ценова ефективност. Например, един 256 GB твърдотелен диск (SSD) сега може да има само 32 от тези чипове (спрямо 64 преди), един 32 GB смартфон има нужда само от четири, а една 16 GB флаш карта – само два.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *