Изследователи от университета в Гранада (Испания) заедно със специалисти от лабораторията CEA-LETI в Гренобъл (Франция) обявиха за разработката на иновативна технология за производство на оперативна памет.
Предложеният метод е получил названието Advanced Random Access Memory или A-RAM. Предполага се, че с времето паметта от този тип ще замени широкоразпространената динамична памет с произволен достъп (DRAM). Конструкцията на клетките на DRAM предвижда използване на един кондензатор и един транзистор (в някои варианти два кондензатора). Но с миниатюризацията на микросхемите намаляването на размерите на кондензаторите става все по-трудно.
В клетките на паметта A-RAM изобщо не се използва кондензатор, което позволява да се използват „по-тънки“ технологични процеси. Освен това, A-RAM осигурява по-висока енергийна ефективност, по-голяма скорост на обмен на данните и позволява понататъшното увеличаване на капацитета на крайните продукти.
Теоретичният модел на A-RAM беше предложен през 2009 г. Сега изследователите доказаха неговата практическа реализация. Технологията е защитена с 10 международни патента. Интерес към нея вече проявяват производителите на компютърна памет, включително Samsung, Hynix и Micron.
