Изследователи от университета Чуо (Япония) са създали архитектура за хибриден диск, обединяващ флаш и енергонезависима резистивна памет с произволен достъп (ReRAM).
ReRAM (или RRAM) паметта обединява достойнствата на DRAM и флаш паметта NAND. Микросхемите ReRAM осигуряват почти същото бързодействие, както DRAM, но са енергонезависими. В сравнение с NAND паметта от нов тип се характеризира с по-малка консумация на енергия и 10 пъти повече цикли на презапис.
Изследователите са обединили в експерименталното устройство SSD диск с капацитет 256 GB и ReRAM чип с капацитет 8 GBit. В случая ReRAM се използва в качеството на кеш и засъхранение на информация. Работата на диска се управлява от специални алгоритми.
По твърдения на авторите на разработката, благодарение на високата производителност на ReRAM в режим на случаен достъп, новият диск теоретично осигурява 11-кратно увеличение на бързодействието при запис на информация в сравнение с традиционните SSD дискове, използващи само флаш памет. В същото време консумацията на енергия е спаднала с 95%, а срокът на работа на устройството се е увеличил 6,9 пъти.
Подробности за новата си разработка учените ще разкажат на симпозиума VLSI Circuits 2012.