Samsung Electronics започва масово производство на първите в отрасъла чипове памет LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) Mobile DRAM с обем 12 Gbit. Те се произвеждат по 20 nm технология.
От компанията твърдят, че в сравнение с решенията от предишно поколение с обем 8 Gbit, новите чипове осигуряват с 30% по-високо бързодействие – до 4266 Mbit/s. В сравнение с паметта DDR4 DRAM за персонални компютри, енергопотреблението е намалено с 20%.
Два или четири LPDDR4 чипа с обем 12 Gbit могат да бъдат обединени в една опаковка – в този случай мобилните устройства ще получат съответно 3 или 6 GB оперативна памет.
Ще отбележим, че към момента смартфоните, фаблетите и таблетите от висок клас вече се оборудват с 4 GB RAM. Новото достижение на Samsung ще позволи да се увеличи обемът на оперативната памет 1,5 пъти. От компанията добавят, че 6 GB LPDDR4 ще получат флагманските мобилни устройства от следващо поколение, които най-вероятно ще излязат на пазара през 2016 г.
