Toshiba възнамерява да ускори разработката и производството на памет от нов тип. Усилията на компанията ще бъдат насочени към създаване на флаш модули NAND с триизмерна архитектура. За 2013 г е планирано пускането на прототипи с обем 128 или 256 Gbit, а за 2014 г – инженерни образци на тези изделия. Масовото производство е набелязано за 2015 г – тогава корпорацията ще започне доставки на 512 Gbit микросхеми. В перспектива се планират чипове с капацитет 1 Tbit и повече.
Освен това, Toshiba ще представи образци резистивна памет с произволен достъп (ReRAM) с 3D структура. Паметта ReRAM (или RRAM) обединява достойнствата на DRAM и NAND. Микросхемите ReRAM осигуряват същото бързодействие, както DRAM, но при това остават енергонезависими. В сравнение с NAND, паметта от нов тип се характеризира с по-малка консумация на енергия и 10 пъти повече цикли на презапис.
И накрая, Toshiba разработва магниторезистивна памет с произволен достъп (MRAM), реализирана по технология Spin-Transfer Torque (STT). Този метод е призван да реши проблемите, с които класическата MRAM ще се сблъска при увеличаване на плътността на клетките на паметта. MRAM ще се използва в качеството на кеш в SSD дисковете.
