Компанията Samsung обяви началото на производствената линия на модули с RAM памет LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3), които ще са с обем 3GB. Още от началото на годината анализатори предполагат, че до края и ще започнем да виждаме Виж повече
Поредна доза слухове за фаблета Galaxy Note III на Samsung се появиха във виртуалното пространство. Според изтеклите данни, две от ключовите характеристики на модела ще са по-малката дебелина от едва 8 милиметра и наличието на 3 GB RAM. За съжаление, Виж повече
В наши дни хубавите смартфони разполагат с по 2GB RAM и това скоро ще стане нещо нормално и за моделите от по-ниските класове – това сочат анализи на големи компании по въпроса. Прогнозите сочат, че в следващата година смартфоните с Виж повече
Производителят на високоскоростни DRAM модули и NAND флаш приложни продукти ADATA Technology днес пусна на пазара наследника на популярната линия XPG динамични памети. Моделите от новата XPG V2 серия са проектирани за 3-то поколение Intel Core процесори и платформата Z87, Виж повече
Консорциумът Hybrid Memory Cube (НМС), обединяващ над 100 участника, обнародва спецификациите на едноименната памет, предназначена за компютърните устройства от следващо поколение. Многослойните модули HMC се състоят от кристали DRAM, допълнени от високопроизводителна управляваща логика. Според твърденията на разработчиците, в сравнение Виж повече
Corsair представи модулите DDR3 памет Vengeance Extreme (CML8GX3M2A3000C12R). Комплектът включва два модула по 4 GB всеки. Те работят на честота 3000 MHz при напрежение 1,65 волта и тайминги 12-14-14-36. Производителят твърди, че тези набори са най-бързите в света DDR3 модули. Виж повече
Corsair започва да предлага комплекти светещи панели за модулите памет Dominator Platinum. Те позволяват на потребителите да подобрят и разширят възможностите за настройка на подсветката на паметите Platinum DDR3. В комплекта влизат два светлинни панела за замяна на стандартните и Виж повече
Изследователи от университета в Гранада (Испания) заедно със специалисти от лабораторията CEA-LETI в Гренобъл (Франция) обявиха за разработката на иновативна технология за производство на оперативна памет. Предложеният метод е получил названието Advanced Random Access Memory или A-RAM. Предполага се, че Виж повече
Швейцарският ентусиаст Кристиан Ней успя да ускори оперативна DDR3 памет до рекордната тактова честота 1950,3 MHz (ефективна 3900,6 MHz). Впечатляващият резултат е показал модулът памет DDR3-2666 G.Skill F3-2666C11-4GTXD с обем 4 GB. За основа на тестовия стенд е използвана дънна Виж повече
Обединеният инженерен съвет по електронни устройства (JEDEC) завърши разработката на стандарта памет DDR4. Тази оперативна памет представлява еволюционно развитие на предишните поколения DDR. Паметта от нов тип се отличава с повишени честотни характеристики и по-ниско захранващо напрежение. Отначало модулите DDR4 Виж повече