Скоростта на магнитооптичната памет може да нарасне 1000 пъти
Изследователи от лабораторията Еймс (САЩ) са намерили нов начин за превключване на магнитните състояния на веществата, който поне 1000 пъти е по-бърз от използвания сега в магнитните запомнящи устройства, включително MRAM. Физиците са използвали изцяло оптичен метод за контрол на Виж повече