Скоростта на магнитооптичната памет може да нарасне 1000 пъти

Изследователи от лабораторията Еймс (САЩ) са намерили нов начин за превключване на магнитните състояния на веществата, който поне 1000 пъти е по-бърз от използвания сега в магнитните запомнящи устройства, включително MRAM. Физиците са използвали изцяло оптичен метод за контрол на Виж повече

Buffalo разработи SSD дискове с MRAM памет

Компанията Buffalo демонстрира твърдотелни дискове, в които ролята на кеш играят микросхеми магниторезистивна памет с произволен достъп (MRAM). Паметта  MRAM обединява достойнствата на динамичната и флаш-паметта. Микросхемите MRAM притежават малко време за достъп и заедно с това са енергонезависими, тоест, Виж повече