Samsung започва масово производство на 30 nm DDR3 памети през есента на 2010
Още пред лятото на 2009 Samsung обяви плановете си за скорошно преминаване към 30 nm процес при производството на памети, но от него с приоритет се възползваха NAND флаш чиповете на компанията, които се вграждат в най-разнообразни карти памет и Виж повече