Samsung започва масово производство на 30 nm DDR3 памети през есента на 2010

Още пред лятото на 2009 Samsung обяви плановете си за скорошно преминаване към 30 nm процес при производството на памети, но от него с приоритет се възползваха NAND флаш чиповете на компанията, които се вграждат в най-разнообразни карти памет и Виж повече

SanDisk стартира масово производство на X4-базирани флаш карти

SanDisk са готови с първите партиди от новите карти памет, които използват технологията X4. При нея всяка клетка от флаш паметта съдържа по 4 бита информация, т.е. два пъти повече, отколкото в досегашните MLC NAND чипове. Това отваря перспективи към Виж повече