
Samsung започва масово производство на ново поколение DRAM памет
Samsung Electronics обяви, че започва масово производство на първия в индустрията 4-гигабайтов (GB) DRAM модул, базиран на High Bandwidth Memory (HBM2) интерфейс от второ поколение. Моделът е предназначен за употреба при високо производителни компютърни системи, мрежови системи и сървъри от Виж повече