Samsung започва масово производство на микрочипове NAND флаш памет с капацитет 128 Gbit, които ще се използват в модулите за вграждане и SSD дисковете. Изделията от ново поколение ще бъдат реализирани по технология 3bit Multi-Level-Cell (MLC) и ще се произвеждат по технология от „10 nm клас“.
Чиповете използват интерфейс Toggle DDR2, който осигурява пропускателна способност до 400 Mbit/s. Това е 10 пъти повече в сравнение с паметта Single Data Rate (SDR) NAND (40 Mbit/s) и три пъти повече, отколкото при микросхемите, използващи интерфейса Toggle DDR1 (133 Mbit/s).
NAND чиповете с капацитет 128 Gbit ще се използват в SSD дисковете с капацитет над 500 GB и картите памет 128 GB.
Отрасълът на флаш паметта NAND за пет поредни тримесечия демонстрира спад в продажбите, но в последната четвърт на 2012 г показа ръст от 17%. Обемът на пазара в парично изражение е достигнал $5,6 млрд срещу $4,8 млрд през третото тримесечие. Годишната печалба на производителите на NAND памет достигна $20,2 млрд.
