Флаш паметите са навсякъде около нас – в мобилни телефони, MP3 плейъри, цифрови фотоапрати, USB флашки, SSD устройства за съхранение на данни и къде ли още не.
Въпреки огромното многообразие от електронни устройства, които използват флаш памет, производителите на самите NAND флаш чипове далеч не са толкова много. Сред тях изпъкват 2-3 големи имена, които движат индустрията напред и прилагат най-авангардните технологии от лабораториите в поточните линии за масово производство.
Един от тези водещи производители е Samsung. Компанията вече е готова с прототипи на своите първи чипове, произведени по най-новия 20 nm технологичен процес. По-малкият размер на елементите и по-високата им плътност водят до снижаване на производствените разходи и новите чипове ще бъдат още по-достъпни от своите предшественици.
Също така, 20 nm флаш памети на Samsung са по-надеждни и с около 30% по-бързи от настоящите 30 nm MLC NAND чипове, които компанията използва за SDHC карти с капацитет от 8 GB нагоре. Това на практика означава, че SDHC картите, произведени с 20 nm чипове, ще бъдат от Class 10 (с 20 Mbps скорост на четене и не по-малко от 10 Mbps скорост на запис), за разлика от настоящите SDHC карти памет, които в повечето случаи са Class 6 (т.е. с около 30% по-бавни).
Опитът показва, че изминават няколко месеца от представянето на първите прототипи на чиповете до вграждането им в SHDC карти за масово производство. Това означава, че ще видим флаш карти с 20 nm чипове от Samsung още през тази есен, а може би дори и по-рано.
