Още пред лятото на 2009 Samsung обяви плановете си за скорошно преминаване към 30 nm процес при производството на памети, но от него с приоритет се възползваха NAND флаш чиповете на компанията, които се вграждат в най-разнообразни карти памет и USB флаш драйв. След като преди 2 седмици представи официално първите microSD карти с капацитет 32 GB, които ще използват новите 30 nm чипове, Samsung насочи вниманието си и към пазара на DDR3 памети. За наше огромно съжаление обаче, масовото производство на 30 nm DDR3 DRAM ще стартира едва наесен (през втората половина на 2010), докато 30 nm microSD карти с капацитет 32 GB се очакват още в края на февруари или началото на март.
Чакането си струва – DDR3 паметите, произведени по 30 nm технология, ще консумират с една трета по-малко електроенергия от техните 50 nm предшественици. От новата технология най-голяма полза ще има за потребителите на мобилни компютри – 30 nm памети ще удължат времето на активна работа с ноутбука, осигурено с едно зареждане на батерията. Освен всичко друго, преминаването към 30 nm процес ще увеличи ефективността на производството, тъй като върху еднаква по площ силициева подложка ще се формират (чрез фотолитография) по-голям брой (но по-малки като размер) чипове памет.
Първите DDR3 памети, създадени по 30 нанометрова технология, ще бъдат с капацитет 2 GB и ще работят на 1,35 или 1,5 волта. Засега няма никаква предварителна информация относно техните цени, а и едва ли някой би се наел да прогнозира движението на цените на RAM през второто полугодие на 2010 предвид сложната икономическа обстановка, в която се намираме в момента.
