RRAM памет със слоест графен – по-бърза и с по-голям капацитет

В последно време модна тенденция в областта на компютърната памет е 3D технологията, позволяваща в компактен формат да се съберат още повече данни при висока производителност. Последният пример е пуснатите от Samsung чипове 3D V-NAND, които са с капацитет 256 Gbit, което позволява да се създадат 16 ТВ SSD. Но изследователите продължават да търсят нови начини за подобряване на паметта. Учени от университета Райс са обединили иновативна архитектура и плътен резистивен 3D стек от материали за създаване на енергонезависима RRAM памет.

По твърдения на разработчиците, предложеното устройство изпреварва конкурентните решения по производителност и капацитет. Ключова в паметта е специална структура, притежаваща свръхмалки утечни токове. По този начин могат да се създават масиви с капацитет 162 Gbit (около 20 GB). Мнослойният стек включва метален контакт (платинов в прототипа) върху изолиращ слой от силициев диоксид, който на свой ред лежи върху стандартна силициева пластина.

Самият метален контакт е покрит с чист тантал с нанопорест слой от танталов оксид върху него. Още 10 атомарни слоя графен (така нареченият многослоен графен, MLG) ляга върху танталовия оксид. Завършва стека още един метален електрод (платинов, но изследователите ще търсят с какво да бъде заменен).

По думите на учените, за комерсиализацията на разработката пречат два сериозни проблема. Изследователите трябва да се научат да управляват размерите на наночастиците. Освен това, трябва да се разработи приемлив по ефективност и производство метод за създаване на толкова плътен масив памет.