Micron обяви своето решение за мобилна памет UFS 4.0 и разкри, че вече е разпратила мостри до “избрани световни производители на смартфони и доставчици на чипсети”. Новата технология ще се използва за производство на памет с капацитет 256 GB, 512 GB и 1 ТВ.
Масовото производство ще стартира през втората половина на тази година, което означава, че ще мине известно време, преди да се появят първите модели смартфони с Micron UFS 4.0 памет. UFS 4.0 е два пъти по-бърза от предишното поколение.
Паметта е изградена на база на 232-слойна TLC флаш. Според компанията, нейната NAND архитектура с шест равнини позволява по-висока производителност на случайно четене. В сравнение с предишното поколение честотната лента за запис при съхранение е 100% по-висока, а честотната лента за четене е 75% по-висока.
В конкретни цифри UFS 4.0 паметта на Micron предлага до 4300 Mbps последователни скорости на четене и до 4000 Mbps последователни скорости на запис. Това е повече от UFS 4.0 на Samsung, особено що се отнася до запис. Освен това новите UFS 4.0 чипове на Micron са с 25% по-енергоефективни и обещават 10% по-ниска латентност при запис.
