Micron Technology обяви, че е създала своя първи “пълнофункционален” модул памет DRAM DDR4. Производителят вече е започнал производство на образци, за да получи отзиви от партньорите си. Това ще спомогне за по-бързото внедряване на паметта през 2013 г.
Очаква се, че първи ще се възползват от DDR4 паметта пазарите на корпоративните сървъри и микро-сървърите. Новата памет ще бъде използвана и в ултратънките клиенти и таблетите.
В модулите, създадени в сътрудничество с Nanya, се използват компоненти х8 с плътност 4 Gbit, произвеждани по 30 nm технология. Модулите създават семейство, в което в перспектива ще влязат модели RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM и UDIMM (в това число с поддръжка на ECC). Освен това, планирано е производство на компоненти x8, x16 и x32, предназначени за монтаж на печатната платка на системата. На първо време ще се предлага продукция, поддържаща скорост 2400 MT/s, а по-късно — 3200 MT/s, максималната скорост, стандартизирана от JEDEC.
Като разчита на скорошното излизане на окончателните спецификации на DDR4 в средата на годината, Micron планира да започне серийно производство на модули през четвъртото тримесечие на 2012 г.
Micron не е първата компания, обявила създаването на модули DDR4 памет. Първа в отрасъла беше Samsung през януари миналата година, а през април 2012 г свои успехи в тази област обяви и Hynix.
