Micron първа в отрасъла започва производство на чипове памет с променящо се фазово състояние (Phase Change Memory, PCM) за мобилните устройства.
PCM паметта се разглежда като алтернатива на флаш паметта. Принципът на работа на РСМ чиповете е базиран на свойството на материала (халкогенид) да се намира в две стабилни фазови състояния. В едната от тези фази веществото представлява непроводящ аморфен материал, а в другата – кристален проводник. Промяната на фазовото състояние в случая означава превключване между логическите „0“ и „1“.
В сравнение с флаш паметта, PCM осигурява много по-добра производителност и по-дълъг експлоатационен живот. Новата памет е енергонезависима и консумира малко енергия в работен режим.
В изделията на Micron, които се произвеждат по 45 nm технология, са обединени микросхеми PCM с обем 1 Gbit и LPDDR2 512 Mbit. Новата памет ще намери приложение преди всичко в таблетите, смартфоните и мобилните телефони.
