През лятото на тази година IBM завърши предаването на два свои завода на компанията GlobalFoundries. По този начин, освен всичко друго, компанията се лиши и от опитното производство в Ийст Фишкил, където тя тестваше разработките, отнасящи се към новите технологични процеси. Освен това, компанията загуби и значителна част от своите опитни инженери, които сега ще разработват технологични процеси в състава на GlobalFoundries.
Означава ли това, че IBM повече няма да отделя внимание на R&D (Research and development)? Не, разбира се. През лятото на миналата година компанията утвърди петилетен план за разработки с финансиране 3 милиарда долара.
Ключов момент от плана е преходът към постсилициева електроника. Това включва търсене на нови материали и разработка на нови технологични процеси под 7 nm, както и създаване на нови транзистори. Най-перспективно направление в случая е разработката на електронни компоненти с използване на въглеродни нанотръби.
Както е известно, въглеродната нанотръба представлява на практика свит в тръбичка графен. Нейната стена е с дебелина един атом, което позволява да се доближи до транзисторите със структура от атомен мащаб. При това, електрическите свойства на въглеродните нанотръби значително превъзхождат тези на традиционните силициеви полупроводници.
Сега IBM съобщи, че е преодоляла поредната бариера по пътя към транзисторите с канал от въглеродни нанотръби. Проблем при тези компоненти е контактът между транзисторния канал и токопровеждащите площадки от двете страни на канала. С намаляване на мащаба на производството, площта на металните контакти също намалява, което води до увеличаване на съпротивлението в мястото на връзката. Нарасналото съпротивление – това са загуби, което в крайна сметка води до влошаване на характеристиките на транзисторите.
За решаване на този проблем, в IBM са създали уникална технология от типа на химичното заваряване. Въглеродните атоми в краищата на нанотръбичките прилепват към металните атоми в мястото на контакта, което значително намалява съпротивлението на контакта.
Данните от експеримента са публикувани в списание Nature. Според IBM, тази технология открива път към технологичните процеси до 1,8 нанометра. Компанията вече показа опитен 7 nm чип и явно ще продължи в това перспективно направление.
Вижте още: RRAM памет със слоест графен – по-бърза и с по-голям капацитет
