Днес на пазара присъстстват чипове, реализирани по 10 nm технология. Компанията IBM възнамерява да съкрати този технологичен процес двойно, като се отказва от архитектурата FinFET в полза на стек от четири 5-нанометрови нанослоя. Това ще позволи да се поместят 30 млрд транзистора в устройство с размерите на човешки нокът.
За сравнение, на 7 nm тестов чип с аналогични размери се побират 20 милиарда транзистора. Колкото по-плътно са опаковани транзисторите в чипа, толкова по-бързо сигналът може да преминава между тях. IBM обещава не само много компактни размери, но и значително увеличение на производителността (40%) и ефективността на тези чипове.
IBM се занимава с разработката на технологията съвместно с GlobalFoundries и Samsung. Именно двете последни компании ще популяризират 5 nm технология, която се очаква към 2020 г да стане масова. Сега на потребителския пазар доминира 10-нанометровата технология, която е използвана в чипа Snapdragon 835. На него са базирани флагманските смартфони на Samsung.
FinFET се използва от 2011 г и представлява три токопроводящи канала, обкръжени от изолиращ слой. В последните години обаче инженерите се сблъскаха с проблема за мащабирането на FinFET. Новата 5-нанометрова архитектура позволява да се предава сигнал през четири канала.
