IBM и Micron започват производство на иновативната памет Hybrid Memory Cube (HMC), предназначена за компютърните устройства от следващо поколение. HMC ще се произвеждат в завода на IBM в Ийст Фишкил (щат Ню Йорк) по метода HKMG при използване на 32 нанометрови технологични норми.
В създаването на паметите HMC се прилага технологията TSV (Through-Silicon Via), същността на която се състои във формирането на миниатюрни отвори в силициевия кристал, запълнени с мед. Тези канали играят ролята на проводници, което позволява създаването на многоетажни чипове. В резултат съществено се повишава плътността на съхраняване на информацията.
Многослойните модули HMC се състоят от кристали DRAM, допълнени с високопроизводителна управляваща логика. По думите на разработчиците, в сравнение с обикновените микросхеми памет, HMC осигуряват с 10-15 пъти по-висока пропускателна способност (до 128 GВ/s) и със 70% по-ниска консумация на енергия. При това, заеманата от модула площ е 10 пъти по-малка.
