Компанията GlobalFoundries, един от големите производители на полупроводникови микросхеми (произвеждаща в частност процесори за AMD и IBM), представи технологичния процес 14nm-XM.
Методът 14nm-XM (eXtreme Mobility) е базиран на технологията FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), предвиждаща използване на транзистори с триизмерна структура. Според твърденията на GlobalFoundries, новата технология осигурява с 40–60% по-висока енергийна ефективност при работа от батерия в сравнение със сегашните 20 nm изделия на базата на планарни транзистори.
Технологичният процес 14nm-XM обединява FinFET транзистори, реализирани по 14 nm технология и елементи на 20 nm процес. GlobalFoundries вече е започнала внедряване на технологията в завода Fab 8 в Саратога (щат Ню Йорк). Предполага се, че тестови образци на изделията от следващо поколение ще се появят през 2013 г. Устройствата с 14-нанометрови чипове ще излязат на пазара през 2014 или 2015 г.
Напомняме, че Intel също планира да пусне 14 nm процесори към края на 2013 г, а масово то им производство – през 2014 г. Тези чипове ще се създават по метода Tri-Gate (транзистори с триизмерна структура).
