IBM и Micron Technology ще започнат производството на нов тип устройства за съхранение на данни, които ще бъде изградени с помощта на CMOS (complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor) технология и вертикални електрически проводници TSV (through-silicon-via).
Усъвършенстваният процес на IBM за производство на TVS чипове ще даде възможност на Hybrid Memory Cube (HMC) на Micron Technology да постигне скорост 15 пъти по-бърза от тази на съвременните технологии за съхранение на данни.
„Способността ни да използваме TSV за масово производство на CMOS, като интегрираме и други чип технологии, е много съществен успех за преминаването към производство на триизмерни полупроводници.”, споделя Субу Ийер, IBM Fellow.
„HMC дава гъвкаво решение за съхранение на информация, което измерва количеството трансферирани данни, като същевременно е и енергийно ефективно.”, казва Скот Греъм, генерален мениджър на DRAM Solutions в Micron. „Благодарение на сътрудничество си с IBM, Micron ще предложи най-добрите решения за съхранение на информация.” добавя Греъм.
HMC изисква 70% по-малко енергия за трансфер на данни при малки размери – само 10% от размера на традиционните устройства за съхранение на данни.
Частите за HMC ще бъдат изработвани във фабриката за полупроводници на IBM в East Fishkill, в Ню Йорк, като при производството ще се използва 32 nm технология High-K/Metal Gate.
IBM представи TSV технологията на тазгодишната международна среща IEEE International Electron Devices Meeting.
Освен тази технология компанията представи и няколко изследователски открития, които биха могли да спомогнат за създаването на значително по-малки, по-бързи и по-мощни компютърни чипове.
Учените от IBM успешно са разработили и използвали нови материали и архитектура на пластина с диаметър 200 мм. За изработката на пластината изследователите са използвали графен, въглеродни нанотръби и Racetrack памет.
Тези открития биха могли да предоставят нова технологична основа за обединяване на компютърни системи, комуникации и потребителска електроника.
