Японската компания Elpida обяви, че е създала бързодействащи образци на енергонезависимата резистивна памет с произволен достъп ReRAM.
Паметта ReRAM (или RRAM) обединява достойнствата на DRAM с тези на флаш паметта NAND. Микросхемите ReRAM са способни да осигурят приблизително същото бързодействие, както на DRAM, като остават при това енергонезависими. В сравнение с NAND, паметта от нов тип се характеризира с по-малка консумация на енергия и по-голям брой цикли на презапис.
Прототипите на микрочипове ReRAM, представени от Elpida, са реализирани по 50 nm технология. Техният капацитет е 64 Mbit. През 2013 г. Elpida планира да усвои производството на микросхемите ReRAM по 30 nm технология. Тези изделия ще бъдат от гигабитен клас. Новият тип памет ще бъде използвана в персонални компютри, джобни мултимедийни плейъри, видеокамери и т.н.
Изследвания в областта на ReRAM паметта правят и други компании, в частност южнокорейската Samsung.
