Прозрачните устройства на бъдещето стават с всеки изминал ден все по-реални. Учени от американския университет Райс са разработили нов вид енергонезависима памет на базата на силициев оксид.
Устройството е базирано на откритие, направено през 2010 г – силен електрически заряд пробива в силициевия окис канали с 5-нанометрова широчина, състоящи се от чисти силициеви кристали. Чрез прилагано впоследствие слабо електрическо напрежение към получения канал може да се постигне премахване и възстановяване на електрическите връзки в канала, което дава възможност за енергонезависимо съхраняване на информацията.
Университетът Райс демонстрира първият действащ образец на чип на прозрачна подложка. Плоските чипове от нов тип могат да се огъват без загуба на работоспособност, а чрез обединяването им в „пачки“ се получават триизмерни блокове памет.
Прозрачността обаче е до известна степен условна – сам по себе си силицият е непрозрачен и при увеличаване на плътността на записа до разумни величини, елементите на чипа ще се виждат и с просто око.
