Изследователи от лабораторията Еймс (САЩ) са намерили нов начин за превключване на магнитните състояния на веществата, който поне 1000 пъти е по-бърз от използвания сега в магнитните запомнящи устройства, включително MRAM.
Физиците са използвали изцяло оптичен метод за контрол на превключването на магнитното състояние. С помощта на кратки лазерни импулси се създават свръхбързи промени в магнитните свойства на облъчвания материал – от диамагнитно във феромагнитно състояние той преминава са 100 квадрилиона части от секундата (фемтосекунди). На практика скоростта на подобна памет е ограничена само от времето на импулса, което означава потенциална възможност в бъдеще да се използват и атосекундни лазери.
Сега физиците възнамеряват да започнат разработка на записващи устройства, използващи наблюдавания ултрабърз ефект.
