Консорциумът Hybrid Memory Cube (НМС), обединяващ над 100 участника, обнародва спецификациите на едноименната памет, предназначена за компютърните устройства от следващо поколение.
Многослойните модули HMC се състоят от кристали DRAM, допълнени от високопроизводителна управляваща логика. Според твърденията на разработчиците, в сравнение с обикновените микросхеми памет, HMC осигуряват увеличение на пропускателната способност 10-15 пъти и намаляване на консумацията на енергия със 70%. Модулите заемат 10 пъти по-малка площ.
Спецификацията на HMC допуска два варианта на разположение на модулите памет относно процесора – на малко (SR) и свръхмалко USR) разстояние. В първия случай дистанцията не надвишава 8-10 инча, а във втория – 2-3 инча. За SR конфигурациите, скоростта на предаване на данни може да достига 15 Gbit/s на извод, а за USR – 10 Gbit/s. В перспектива тези показатели ще бъдат увеличени до 28 и 15 Gbit/s.
За модулите памет HMC е предвидено използване на технологията TSV (Through-Silicon Via), същността на която се заключава във формиране на миниатюрни отвори в силициевите подложки, които са запълнени с мед. Тези канали играят ролята на проводници, което позволява да се създават многоетажни чипове.
Първите модули Hybrid Memory Cube ще имат обем 2, 4 и 8 GB.
