Изследователи от Университетския колеж в Лондон обявиха своите постижения в разработката на енергонезависима резистивна памет с произволен достъп (ReRAM).
Паметта ReRAM (или RRAM) обединява достойнствата на DRAM и флаш паметта NAND. Микросхемите ReRAM осигуряват приблизително същото бързодействие, както и DRAM, но са енергонезависими. В сравнение с NAND, паметта от нов тип се характеризира с по-малка консумация на енергия и 10 пъти повече цикли на презапис.
Специалистите от Лондон са успели да получат за първи път чип ReRAM на базата силициев окис, който може да функционира в обикновени условия. Другите подобни изделия десега можеха да работят само във вакуум, което ограничава сферата на тяхното приложение.
Учените подчертават, че новият микрочип в сравнение с флаш паметта изисква 1000 пъти по-малко енергия и осигурява 100 пъти по-висока производителност. Предложената технология позволява също така и създаване на прозрачни чипове памет.
Предполага се, че в перспектива микросхемите ReRAM ще се използват в персоналните компютри, джобните плейъри, видеокамери и различните други портативни устройства.
